Российские физики получили материал для энергонезависимой памяти нового типа
Ученые из МФТИ впервые вырастили сверхтонкие (2,5 нанометра) сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния, которые могут стать основой для элементов энергонезависимой памяти.Полученные учеными сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки могут послужить основой для